32μm 10G InGaAs fotodiode TO46

 

 

• Høj responsivitet (større end eller lig med 0,7A/W): Sikrer effektiv signalkonvertering, hvilket reducerer strømforbruget til stor-produktion af optiske moduler-ideelt for engroskøbere af InGaAs Photodiode TO46 med fokus på energieffektivitet.

• Lav mørkestrøm (mindre end eller lig med 1nA @5V): Minimerer signalstøj, hvilket er afgørende for-højpræcisions telekommunikations- og registreringsapplikationer. Denne fordel sænker fejlfrekvensen for masseimplementeringer.

• Lav kapacitans (mindre end eller lig med 0,25pF): Muliggør stabil 10G-båndbreddeydelse, der opfylder hastighedskravene for 10G SFP+-moduler og datacenternetværk.

• Lasersvejsning og TO-CAN-pakke: Forbedrer mekanisk stabilitet og termisk modstand (-40~85 graders driftstemperatur), sikrer en lang levetid (Større end eller lig med 50.000 timer) og reducerer udskiftningsomkostningerne for bulkkøb af InGaAs Photodiode-kunder.

• Lavt afkasttab (større end eller lig med 35dB): Reducerer signalrefleksion og forbedrer systemintegriteten-væsentligt for telekommunikationsinfrastrukturprojekter.

 

 

• Telenetværk: Kompatibel med SDH/SONET-systemer, understøtter høj-signalmodtagelse i lang-fiberoptiske forbindelser-perfekt til høj pålidelighed 32μm InGaAs Fotodiode til telekommunikationsindkøb.

• 10G SFP+ optiske moduler: Bruges i datacentertransceivere til at konvertere optiske signaler til elektriske signaler med lav kapacitans (mindre end eller lig med 0,25pF), hvilket sikrer minimalt signaltab.

• Fiberoptisk sensor: Ideel til industrielle sensorsystemer (f.eks. laserafstandsmåling, temperaturovervågning) takket være dens brede driftsbølgelængde (1100-1650nm) og lave mørkestrøm.

• Industriel automation: Integreret i optisk kommunikationsudstyr til fabriksautomatisering, hvor lang driftslevetid (via lasersvejsning) reducerer vedligeholdelsesomkostninger for grossister af InGaAs Photodiode TO46-købere.

 

Sælgende enheder	Enkelt vare
Enkelt pakkestørrelse	20X15X5 cm (Fleksibel emballage, velegnet til international transport)
Enkelt bruttovægt	0,250 kg

Antal (stykker)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Leveringstid (dage)	14	20	30	Skal forhandles

Vi tilbyder tilpassede InGaAs Photodiode ODM-løsninger, der matcher dine specifikke krav:

• Tilpasselige parametre: Lysfølsomt områdes diameter (32μm/50μm/75μm), pakketype (TO46/TO56), ledningslængde og linsedesign.

• Udviklingscyklus: 7-15 dage (prøve først; masseproduktion starter efter prøvegodkendelse).

 

Parameter	Symbol	Min.	Type	Maks.	Enhed
Mætningskraft	Ps	3	-	-	dBm
Fremstrøm	Hvis	-	-	10	mA
Vendespænding	Vr	-	5	15	V
Driftstilfælde temperatur	Top	-40	-	85	grad
Opbevaringstemperatur	Tstg	-40	-	85	grad
Blylodning (temperatur/tid)	-	-	260/10	-	grad /Sek

 

Parameter	Symbol	Min.	Type	Maks.	Enhed	Testtilstand
Driftsbølgelængde	λ	1100	-	1650	nm
Responsivitet	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Mørk Strøm	Id	-	0.2	1	nA	Vr=5V
Kapacitans	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz,hus åben
Båndbredde	Bw	10	-	-	GHz	Vr=5V,50 belastning med ledningslængde=6mm,hus åben
Optisk afkasttab	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

Populære tags: 32μm 10g ingaas fotodiode to46, Kina 32μm 10g ingaas fotodiode til46 producenter, leverandører, fabrik